文献类型：期刊文章

作　　者：唐莹[1] 刘肃[1] 李思渊[1] 吴蓉[2] 常鹏[1]

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所,兰州730000 [2]兰州交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系,兰州730070

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：甘肃省自然科学基金资助项目(批准号:3ZS051-A25-034)~~

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：6

起止页码：918-922

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.

关 键 词：静电感应晶体管 深槽结构  寄生效应 深槽腐蚀  

分 类 号：TN322]