文献类型：期刊文章

作　　者：尹志军[1] 钟飞[1] 邱凯[1] 李新化[1] 王玉琦[1]

机构地区：[1]中国科学院材料物理重点实验室,合肥230031

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:10574130)~~

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：6

起止页码：909-912

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20072710692155)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：使用分子束外延(MBE)技术在(0001)面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓(GaN)薄膜,利用不同极性面的GaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异,混和极性样品经腐蚀处理后,得到了一层具有多孔结构的GaN层.以多孔结构的GaN作为缓冲层,用卤化物气相外延(HVPE)方法生长GaN厚膜.X射线双晶衍射和光致发光等测试结果表明,多孔结构的GaN缓冲层可以有效地释放GaN厚膜和衬底之间因热膨胀系数失配产生的应力,使GaN厚膜晶体的质量得到很大提高.

关 键 词：GAN 极性  多孔 应力释放

分 类 号：TN304.05]