文献类型：期刊文章

作　　者：焦更生[1] 李贺军[1] 李克智[1] 王闯[1] 魏剑[1]

机构地区：[1]西北工业大学碳/碳复合材料研究所,西安710072

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：国家杰出青年基金(50225210);国家"973"(2006CB600908)资助项目

年　　份：2007

卷　　号：35

期　　号：6

起止页码：721-724

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20072710692321)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用包埋法在碳/碳(C/C)复合材料表面制备了碳化硅(SiC)涂层及改性涂层。用扫描电镜观察涂层的微观形貌。从理论上探讨了涂层缺陷的形成机制,分析了改性剂对SiC涂层形貌、晶粒尺寸的影响。结果表明:添加改性剂后,涂层晶粒变小,涂层致密,表面未出现裂纹,断面孔洞的数量减少,尺寸减小。在1773K的抗氧化性比未添加改性剂涂层的显著提高。

关 键 词：碳化硅涂层 裂纹  包埋法  

分 类 号：TB332[材料类]