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期刊文章详细信息

低损耗脉冲中高压电容器瓷料的研制    

  

文献类型:期刊文章

作  者:张吉林[1]

机构地区:[1]国营第七一五厂

出  处:《电子元件与材料》

年  份:1989

卷  号:8

期  号:2

起止页码:23-27

语  种:中文

收录情况:CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘  要:通过采用Bi^(3+)、Pb^(2+)和Mg^(2+)与SrTiO_3固溶,并添加微量MnCO_3和Sb_2O_3对SrTiO_3改性,研制出ε≥1700,tgδ≤0.3%,-25~+85℃△C/C≤-7%,直流抗电强度≥6.7MV/m的介质材料。该介质适合制作表面温升低的低损耗脉冲中高压瓷介电容器及其它要求低损耗的高压电容器。

关 键 词:电容器 瓷介质  SRTIO3 介质材料

分 类 号:TM534.1]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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