文献类型：期刊文章

作　　者：范丽霞[1,2] 卢卓宇[1,2] 任峰[1,2] 薄昌忠[1,2] 付强[1,2]

机构地区：[1]武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室,武汉430072 [2]武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072

出　　处：《武汉理工大学学报》

基　　金：国家自然科学基金项目（10375044,10435060）和教育部高等学校博士学科点专项科研项目（20050486054）

年　　份：2007

卷　　号：29

期　　号：E01

起止页码：39-41

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用扫描电镜附件电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction，EBSD）技术，用菊池花样质量（IQ）作为应力敏感参数，研究了InGaAsP／InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。

关 键 词：电子背散射衍射(EBSD)  弹性应力区域  菊池花样质量(1Q)  InGaAsP/InP异质结构  

分 类 号：TG115.23]