期刊文章详细信息
双极晶体管X射线辐射剂量增强效应 ( EI收录)
Dose Enhancement Effects of X Ray Radiation in Bipolar Transistors
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国工程物理院应用电子学研究所,成都527信箱610003
基 金：本工作得到国防科工委基金资助
年 份：1997
卷 号：17
期 号：1
起止页码：7-10
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1997123976318)、JST、SCOPUS、核心刊
摘 要：本文介绍典型双极晶体管在 X 射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实际测量了双极晶体管 X射线辐射剂量增强系数,研究了双极器件剂量增强效应机理。
关 键 词：双极 晶体管 X射线辐射 剂量增强 探测器
分 类 号：TL814]
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