文献类型：期刊文章

作　　者：李俊英[1]

机构地区：[1]南开大学物理学院生物物理系生物活性材料教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《科学通报》

年　　份：2007

卷　　号：52

期　　号：8

起止页码：898-902

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电压依赖性失活在钙通道的生理功能中起重要作用,参与通道失活的分子结构域目前还不清楚.为研究T型钙通道Cav3.1分子中第4跨膜区(S4)在电压依赖性失活中的作用,用Cav1.2通道(无电压依赖性失活)的S4区替换Cav3.1(快速电压依赖性失活)的相应S4区域,构建嵌合通道(chimera),并在卵母细胞中表达,用双电极电压钳记录其通道电流.结果显示,替换结构域Ⅰ中的S4使Cav3.1的稳态失活曲线左移,V0.5失活和k失活值显著改变;替换其余结构域(Ⅱ～Ⅳ)的S4对失活的电压依赖性无显著影响.结果表明,结构域Ⅰ的S4参与通道的失活过程,不同结构域的S4在Cav3.1失活中的作用不同,提示结构域Ⅰ的S4可能起偶联膜电位变化与通道失活的作用,膜电位变化引起S4移动可能是通道失活区分子结构变化的触发因素.

关 键 词：Cav3.1钙离子通道  电压依赖性失活  第4跨膜区(S4)  

分 类 号：Q26]