文献类型：期刊文章

作　　者：蔡琪[1] 曹春斌[2] 江锡顺[3] 宋学萍[1] 孙兆奇[1]

机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院,合肥230039 [2]安徽农业大学理学院,合肥230036 [3]滁州学院电子信息工程系,滁州239012

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.50642038);教育部博士点专项基金(No.20060357003);安徽省人才专项基金(No.2004Z029);安徽大学人才队伍建设基金资助课题(No.05025103)

年　　份：2007

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：195-199

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。

关 键 词：ITO薄膜 直流磁控溅射 微结构 组分  

分 类 号：O484]