期刊文章详细信息
高k栅介质材料的研究进展
Progress of High k Materials as Gate Dielectrics
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆400050
基 金：重庆科技学院科技创新团队建设工程(CX06-9)
年 份：2007
卷 号：32
期 号：2
起止页码：97-100
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。
关 键 词：高K栅介质 SIO2栅介质 等效氧化物
分 类 号：TN304]
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