文献类型：期刊文章

作　　者：陈新岗[1] 李凡[2] 桑建平[3]

机构地区：[1]重庆工学院电子信息与自动化学院,重庆400050 [2]西安交通大学电气工程学院,西安710049 [3]国家绝缘子避雷器质量监督检验中心,西安710077

出　　处：《高电压技术》

基　　金：重庆市科委基金项目资助(CSTC2005BB6076)~~

年　　份：2007

卷　　号：33

期　　号：4

起止页码：33-37

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20072310643371)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为从微观层面上解析ZnO压敏陶瓷MOV的宏观伏安特性,根据电镜和深能级瞬态谱(DLTS)的观测结果,结合试验实测几种规格MOV小电流和大电流下的试验数据,建立ZnO在小电流区和大电流区的微观集中参数等效电路模型,然后依据晶界势垒、电子陷阱等理论,微观解析了各区的导电特性。结果表明:随着外施电压的增加,电子的穿透能力不断增强,使ZnO在小电流区晶界层的非线性微观等效电阻不断增大,它与纯ZnO晶粒层的线性电阻共同作用使ZnO小电流区伏安特性呈现出3个不同的特性宏观区域即预击穿区、击穿区和回升区;随着外施瞬态冲击大电流幅值的加大,ZnO在大电流区微观等效电感值增加,使ZnO大电流区伏安特性宏观呈现缓慢上升区、快速上升区和迅速上翘区;晶界层厚度的不均匀性和晶界层中电子陷阱密度的差异性宏观表现为等效电阻的非线性变化,晶界层和纯ZnO晶粒层在小电流区和大电流区具有不同的微观作用机理使得ZnO压敏陶瓷在不同电流区呈现出不同的独特宏观伏安特性。

关 键 词：ZNO压敏陶瓷 电镜 深能级瞬态电容谱  晶界势垒  电子陷阱 伏安特性 微观解析  

分 类 号：TM28[材料类]