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PECVD法低温制备SiO_xN_y薄膜微观组分的分析研究
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]华南理工大学应用物理系 [2]南方四通公司信息研究所 [3]华南理工大学测试分析中心
基 金：国家自然科学基金与广东省自然科学基金资助课题
年 份：1997
卷 号：13
期 号：1
起止页码：31-33
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和红外吸收光谱分析，研究薄膜的光学特性和微观组分结构。
关 键 词：低温 PECVD法 介质膜
分 类 号：TN304.055]
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