文献类型：期刊文章

作　　者：张润曦[1] 石春琦[1] 吴岳婷[1] 赖宗声[1] 曹丰文[2]

机构地区：[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062 [2]苏州职业大学电子系,江苏苏州215000

出　　处：《微电子学》

基　　金：上海市科学技术委员会基金资助项目(AM0513)

年　　份：2007

卷　　号：37

期　　号：2

起止页码：246-249

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm。

关 键 词：超高频射频识别 阅读器 堆叠式  CMOS低噪声放大器

分 类 号：TN402] TN722.15