文献类型：期刊文章

作　　者：王光伟[1] 屈新萍[2] 茹国平[2] 郑宏兴[1] 李炳宗[2]

机构地区：[1]天津工程师范大学电子工程系,天津300222 [2]复旦大学微电子学系,上海201203

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60476010);天津市高校科技发展基金资助项目(20060605)

年　　份：2007

卷　　号：37

期　　号：2

起止页码：168-172

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。

关 键 词：锗硅薄膜  LPCVD 热扩散 热退火 固相结晶  

分 类 号：TN305.4] TN304.055