文献类型：期刊文章

作　　者：周震[1] 赵纪军[2]

机构地区：[1]南开大学新能源材料化学研究所科学计算研究所,天津300071 [2]大连理工大学高科技研究院三束材料改性国家重点实验室,大连116024

出　　处：《物理学进展》

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目(2002CB211800);国家自然科学基金青年基金(50502021)资助

年　　份：2007

卷　　号：27

期　　号：1

起止页码：92-108

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：碳纳米管较低的碳原子密度、管径和管间的空隙可以为锂离子提供大量的嵌入空间，从而拥有更高的储锂能力。本文结合实验与理论研究的最新成果，综述了这一领域的主要进展和前景。实验上，对单壁碳纳米管进行适当处理，可以将锂存储量提高到常规石墨材料的2～3倍。根据密度泛函理论计算，锂在不同碳纳米管束中的最高理论嵌入量可以达到Li0.5C。嵌入后锂和碳纳米管之间发生了完全的电荷转移，碳纳米管的Fermi能级上移到导带中，所有碳纳米管都转变为金属。纳米管自身的电子结构对锂的吸附是至关重要的，缺电子体系更有利于锂的吸附。锂在B掺杂的复合管如BC3纳米管中有很大的吸附能。锂穿透纳米管壁从管壁外进入纳米管内的能垒，随着纳米管壁拓扑缺陷结构的尺寸变大而显著降低，B在纳米管壁的存在会进一步降低锂穿越纳米管壁的能垒。同时B的掺杂会降低相同拓扑缺陷的生成能，导致在BC3纳米管中出现更多的拓扑缺陷，从而有利于锂离子的扩散。实验与理论计算的结合可望加深对锂离子在纳米管材料中嵌入过程的理解，指导设计具有更高储锂性能的新材料。

关 键 词：纳米管 锂离子电池 扩散  掺杂 电子结构

分 类 号：TB383.1[材料类]