文献类型：期刊文章

作　　者：郭清[1] 朱大中[1]

机构地区：[1]浙江大学信息学院微电子技术与系统设计研究所,杭州310027

出　　处：《传感技术学报》

基　　金：国家自然科学基金(NSFC)资助(90307009)

年　　份：2006

卷　　号：19

期　　号：6

起止页码：2391-2394

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T.

关 键 词：扇形分裂漏磁敏晶体管  同步取样  互补金属氧化物半导体 磁敏传感器

分 类 号：TN432] TP212.13]