文献类型：期刊文章

作　　者：陆昉[1] 王勤华[1] 王建宝[1] 蒋家禹[1] 孙恒慧[1]

机构地区：[1]复旦大学李政道物理学综合实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金;上海市科技启明星计划资助

年　　份：1996

卷　　号：17

期　　号：4

起止页码：245-251

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小．

关 键 词：量子阱结构 C-V特性 半导体材料

分 类 号：TN304.01]