文献类型：期刊文章

作　　者：谢爱根[1] 郭胜利[1] 李传起[1] 裴元吉[2]

机构地区：[1]南京信息工程大学物理系,南京210044 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029

出　　处：《强激光与粒子束》

基　　金：南京信息工程大学科研基金资助课题(QD65)

年　　份：2007

卷　　号：19

期　　号：1

起止页码：134-138

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20071610558143)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0．8～60keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0．8～45keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极（偏置盒）离材料表面设置为约35mm，偏置电压设置为45V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2．83，处于2～26范围内，其对应的原电子能量约为980eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的，但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低，这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。

关 键 词：测量装置  绝缘体 二次电子发射系数  氧化镁

分 类 号：O462.2]