文献类型：期刊文章

作　　者：张晓丹[1] 张发荣[1] 赵颖[1] 陈飞[1] 孙建[1] 魏长春[1] 耿新华[1] 熊绍珍[1]

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202600);国家自然科学基金(批准号:60506003);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01600);中国-希腊政府间合作基金和新世纪优秀人才计划资助项目~~

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：2

起止页码：209-212

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20071510544665)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池.

关 键 词：甚高频等离子体增强化学气相沉积  微晶硅薄膜太阳电池  高沉积速率  化学气相沉积技术  

分 类 号：TM914.4]