文献类型：期刊文章

作　　者：李金华[1] 袁宁一[1] 谢太斌[1] 但迪迪[1]

机构地区：[1]江苏工业学院信息科学系功能材料实验室,常州213016

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10675055);江苏省自然科学基金(批准号:BK2005023);常州市工业科技攻关基金(批准号:CE2005027)资助的课题.~~

年　　份：2007

卷　　号：56

期　　号：3

起止页码：1790-1795

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20071610558840)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000244849500095)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000244849500095)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃;室温(300K)时的电阻-温度系数(TCR)可大于10%/K,是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径,W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近,是IBEDV0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.

关 键 词：二氧化钒薄膜 薄膜掺杂  离子束增强沉积 温度系数

分 类 号：O484.4]