文献类型：期刊文章

作　　者：陈新亮[1,2] 薛俊明[1,2] 张德坤[1,2] 孙建[1,2] 任慧志[1,2] 赵颖[1,2] 耿新华[1,2]

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所和天津市重点实验室 [2]南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》

基　　金：天津市自然科学基金(批准号:043604911);天津市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题.~~

年　　份：2007

卷　　号：56

期　　号：3

起止页码：1563-1567

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20071610558802)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000244849500054)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000244849500054)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96cm2/V.s的高迁移率和3.28×10-2Ω.cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.

关 键 词：MOCVD ZNO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池

分 类 号：O484.1]