期刊文章详细信息
GaAs中Si扩散机制的研究 ( EI收录)
Study on Mechanism of Si Diffusion in GaAs
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京化工大学基础科学系,南京大学物理系
出 处：《Journal of Semiconductors》
年 份：1996
卷 号：17
期 号：12
起止页码：919-922
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1997243625327)、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文报道采用选择性掺杂的多晶硅热退火掩膜作扩散源进行的ＧａＡｓ中Ｓｉ扩散机制的研究结果．发现共Ｐ扩散时，样品表层的电学性能明显提高．Ｓｉ杂质的内扩散小；共Ａｌ扩散时，Ｓｉ杂质内扩散很深．用ＧａＡｓ中化学配比平衡观点讨论了扩散层中杂质分布与电学性能关系，认为Ｓｉ杂质在ＧａＡｓ中的热扩散主要由Ａｓ空位浓度决定．
关 键 词：砷化镓 硅 扩散机制 掺杂
分 类 号：TN304.23]
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