文献类型：期刊文章

作　　者：陈丰[1] 杨世源[1] 王军霞[1] 汪关才[1] 黄文秀[2]

机构地区：[1]西南科技大学材料科学与工程学院,绵阳621002 [2]哈尔滨工业大学华德应用技术学院,哈尔滨150025

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(10476023);四川省科技厅科学基金资助项目(03JY-017)

年　　份：2007

卷　　号：21

期　　号：2

起止页码：26-29

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧结的原理,并简要说明了烧结技术的发展方向。指出,在材料制备与应用的过程中,缺陷的生成对研究活化烧结工艺、降低制造成本以及制备性能优良的PZT压电陶瓷都具有重要的意义。

关 键 词：PZT 低温  活化烧结 压电陶瓷 缺陷  

分 类 号：TQ174.75]