文献类型：期刊文章

作　　者：宋睿丰[1] 廖怀林[1] 黄如[1] 王阳元[1]

机构地区：[1]北京大学微电子系,北京100871

出　　处：《北京大学学报（自然科学版）》

年　　份：2007

卷　　号：43

期　　号：1

起止页码：78-81

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20071210503895)、IC、INSPEC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：采用标准0．35μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3．1～10．6GHz的超宽带低噪声放大器。从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计。结果表明，通过合适的电路结构和器件参数选择，可以采用0．35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器。在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB，噪声系数为3．5dB，电路的工作电压为2．5V。电流消耗为4．38mA。

关 键 词：低噪声放大器 超宽带 正向增益S21  噪声系数

分 类 号：TN722.3]