期刊文章详细信息
场限环与场板复合结构浅平面结高压器件设计
DESING OF HIGH-VOLTAGE DEVICE OF SHALLOW PLANAR JUNCTION WITH COMBINATION OF FIELD LIMITING RING AND FIELD PLATE
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]湖南大学物理系
年 份：1996
期 号：2
起止页码：49-53
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件，比单一采用场限环或场板结构，具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程，对环间距、环数以及场板宽度进行计算，可作为这种结构的设计参考。
关 键 词：半导体器件 场限环 场地 浅平面结 高压器件
分 类 号：TN303]
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