文献类型：期刊文章

作　　者：林枞[1] 徐政[1] 孙丹峰[2]

机构地区：[1]同济大学材料科学与工程学院,上海200092 [2]苏州中普电子有限公司,苏州215011

出　　处：《硅酸盐学报》

年　　份：2007

卷　　号：35

期　　号：1

起止页码：21-25

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20071110487541)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过研究微米粉体、纳米粉体和纳米胶体TiO2掺杂的ZnO压敏电阻的电性能,发现纳米胶体TiO2掺杂的ZnO压敏电阻具有较低的电压梯度和漏电流,而非线性系数较高。对电性能结果的分析表明:在ZnO–Bi2O3–TiO2低压压敏电阻中,晶界击穿电压不是一个固定值;漏电流中的线性分量对TiO2掺杂的ZnO压敏电阻电学性能影响很大。

关 键 词：氧化锌压敏电阻 纳米胶体  二氧化钛掺杂  电性能

分 类 号：TQ174]