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期刊文章详细信息

脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响    

Effects of Pulse Time Parameters on the Properties of Electrodeposited Copper Film

  

文献类型:期刊文章

作  者:徐赛生[1] 曾磊[1,2] 张立锋[1] 张炜[3] 张卫[1] 汪礼康[1]

机构地区:[1]复旦大学微电子研究院,复旦-诺发互连研究中心 [2]罗门哈斯电子材料(上海)有限公司 [3]上海大学化学系

出  处:《中国集成电路》

基  金:国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(No.0304)

年  份:2007

卷  号:16

期  号:1

起止页码:52-56

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%~60%之间容易获得较小电阻率和较大晶粒尺寸的铜薄膜。

关 键 词:铜互连 脉冲电镀 电阻率 晶粒尺寸 表面粗糙度

分 类 号:TN405]

参考文献:

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同被引文献:

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