文献类型：期刊文章

作　　者：盛苏[1] 方国家[1] 袁龙炎[1]

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室

出　　处：《材料科学与工艺》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60244003);湖北省新世纪高层次人才工程资助项目

年　　份：2006

卷　　号：14

期　　号：6

起止页码：637-641

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.

关 键 词：ZNO薄膜 P型掺杂 同质p—n结  

分 类 号：TN304] O475]