文献类型：期刊文章

作　　者：姜德龙[1] 刘庆飞[1] 李野[1] 王国政[1] 高延军[1] 吴奎[1] 付申成[1] 端木庆铎[1] 田景全[1]

机构地区：[1]长春理工大学光电子技术研究所,吉林长春130022

出　　处：《发光学报》

基　　金：预研基金资助项目(40405050101/GDZY-5)

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：6

起止页码：1015-1020

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al2O3薄膜阻止本领比SiO2阻止本领高的结论。证实了选用Al2O3离子壁垒膜的科学性和可行性。

关 键 词：微通道板 离子壁垒膜  核阻止  电子阻止  蒙特卡罗模拟

分 类 号：TN146]