文献类型：期刊文章

作　　者：刘晓燕[1] 吕惠民[2]

机构地区：[1]西安文理学院物理系,西安710065 [2]西安理工大学,西安710048

出　　处：《光子学报》

年　　份：2006

卷　　号：35

期　　号：12

起止页码：1930-1933

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”·

关 键 词：超晶格 单势阱  吸收光谱  蓝移 隧道效应

分 类 号：O437]