期刊文章详细信息
响应表面方法与模拟相结合用于埋沟道PMOS器件性能优化
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京大学微电子学研究所 [2]爱丁堡大学电子工程系
年 份：1996
卷 号：32
期 号：5
起止页码：655-662
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、MR、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊
摘 要：响应表面方法与ＴＣＡＤ相结合是一个极具潜力的有用技术，它可以极大地减少研制和优化ＩＣ工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与模拟相结合获得模型方程并用于工艺优化的方法和优点。Ｄ－优化的设计方法和其他措施结合改善模型拟合精度，得到的响应表面用于对亚微米埋沟道ＰＭＯＳ器件性能进行预测和优化。用响应表面得到优化的工艺条件。
关 键 词：响应表面 模型拟合 集成电路 PMOS器件 埋沟道
分 类 号：TN432.05]
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