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期刊文章详细信息

超短激光脉冲对硅表面微构造的研究  ( EI收录)  

Study of Silicon Micro-Structuring Using Ultra-Short Laser Pulses

  

文献类型:期刊文章

作  者:李平[1] 王煜[1] 冯国进[1] 郑春弟[1] 赵利[2] 朱京涛[2,3]

机构地区:[1]中国计量科学研究院光学材料与光谱实验室 [2]复旦大学物理系表面物理国家重点实验室 [3]同济大学物理系精密光学工程技术研究所,上海200092

出  处:《中国激光》

基  金:国家自然科学基金(10321003)资助项目。

年  份:2006

卷  号:33

期  号:12

起止页码:1688-1691

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20070510400441)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:在特定的气体氛围下,用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面,制备出表面具有准规则排列的微米量级锥形尖峰结构的“黑硅”新材料。不同背景气体下的实验表明,激光脉宽和背景气体对表面微构造的形成起着决定性的作用。具体分析了SF6气体氛围中,皮秒和飞秒激光脉冲作用下硅表面微结构的演化过程。虽然两者均可造成硅表面的准规则排列微米量级尖峰结构,但不同脉冲宽度的激光与硅表面相互作用的物理机制并不相同。在皮秒激光脉冲作用下,尖峰结构形成之前硅片表面先熔化;而飞秒激光脉冲作用下尖峰的演化过程中始终没有出现液相。对材料的光辐射吸收的初步研究表明,该材料对1.5~16μm的红外光辐射吸收率不低于80%。

关 键 词:激光技术 表面微构造  超短激光脉冲 光辐射吸收  

分 类 号:TN249] O613.72]

参考文献:

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同被引文献:

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