文献类型：期刊文章

作　　者：黄宇[1] 孙建[2] 薛俊明[2] 马铁华[1] 熊强[3] 赵颖[2] 耿新华[2]

机构地区：[1]中北大学电子工程系仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051 [2]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室 [3]河北省信息产业厅唐山无线电管理分局,河北唐山063000

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家"973"重点基础研究资助项目(G2000028202);天津市自然科学基金资助项目(043604911);天津市科技发展计划资助项目(06YFGX02100)

年　　份：2006

卷　　号：17

期　　号：12

起止页码：1427-1431

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20070610415383)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用中频磁控溅射工艺，以2％的Al掺杂的Zn（纯度99．99％）金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜，系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响，并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了介绍。获得了适合太阳电池的高性能薄膜，其电阻率为4．6×10^-4Ω·cm，载流子浓度为4．9×10^20cm^-3，霍尔迁移率为56cm^2／V·s，可见光范围内（400～800nm）的平均透过率大于85％。

关 键 词：中频磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜  衬底温度

分 类 号：O484.1]