登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术    

Semiconductor SiGe Thin Films and the Related Technologies

  

文献类型:期刊文章

作  者:王光伟[1]

机构地区:[1]天津工程师范大学电子工程系,天津300222

出  处:《半导体技术》

基  金:天津市高校科技发展基金资助项目(JW20051201)

年  份:2006

卷  号:31

期  号:12

起止页码:881-886

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用。

关 键 词:锗硅 薄膜材料  固相结晶  固相反应 集成电路

分 类 号:TN304.055]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心