期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]天津工程师范大学电子工程系,天津300222
基 金:天津市高校科技发展基金资助项目(JW20051201)
年 份:2006
卷 号:31
期 号:12
起止页码:881-886
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用。
关 键 词:锗硅 薄膜材料 固相结晶 固相反应 集成电路
分 类 号:TN304.055]
参考文献:
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