文献类型：期刊文章

作　　者：张洪涛[1]

机构地区：[1]湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系,湖北武汉430068

出　　处：《武汉工业学院学报》

基　　金：教育部重点科技项目(206095);湖北省教育厅重点项目(D200614002);湖北工业大学科研启动基金(湖工大科1号文);湖北省教育厅重大项目(2000ZD007);湖北省对外科技交流基金(鄂教外[2006]25);教育部回国人员启动基金

年　　份：2006

卷　　号：25

期　　号：4

起止页码：29-31

语　　种：中文

收录情况：CAS、FSTA、普通刊

摘　　要：讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛“似单电荷”的库仑阻塞效应起作用,亦即进入岛的非单子而是电子对,出岛的也如此。这样就解释了大电流量子台阶出现的现象。

关 键 词：纳米线 碳化硅 量子电容  单电子晶体管 库柏对  

分 类 号：TN304]