期刊文章详细信息
掺杂TiO_2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究
Study of Positron Lifetime Spectrum in ZnO Varistor Doped with TiO_2
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]同济大学材料科学与工程学院,上海200092 [2]苏州中普电子有限公司,江苏苏州215011
年 份：2006
卷 号：24
期 号：6
起止页码：904-907
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响。实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小。
关 键 词：ZNO压敏电阻 正电子寿命谱 简单捕获态模型
分 类 号：TM28[材料类]
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