文献类型：期刊文章

作　　者：方国家[1] 刘祖黎[1] 张增常[1] 王豫[1] 刘春[1] 王昕玮[1] 姚凯伦[1]

机构地区：[1]华中理工大学物理系,襄阳师范高等专科学校,华中理工大学国家激光重点实验室

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金;湖北省教委资助

年　　份：1996

卷　　号：11

期　　号：4

起止页码：653-657

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI、JST、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高ａ轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉积，４００～５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高到６００～７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现，薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显．在玻璃基片上沉积的薄膜，经４００℃低温处理后，（２００）取向度很小；随着退火温度的升高，达到５００℃时薄膜呈高ａ轴（２００）取向生长，结晶度较好，晶粒分布均匀．

关 键 词：薄膜  氧化铜 结构分析  脉冲准分子激光  氧化锡

分 类 号：O484.1]