文献类型：期刊文章

作　　者：赵晓锋[1] 温殿忠[2]

机构地区：[1]黑龙江大学电子工程黑龙江省高校重点实验室,哈尔滨150080 [2]黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨150080

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：黑龙江省教育厅电子工程重点实验室科学技术研究项目(DZZD2006-12);黑龙江大学集成电路重点实验室项目;黑龙江大学青年科学基金项目(QL200514)

年　　份：2006

卷　　号：35

期　　号：5

起止页码：1151-1154

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20070210351169)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于PECVD以高纯S iH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向。对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强。结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大。

关 键 词：PECVD 多晶硅薄膜 晶粒 退火

分 类 号：TM614]