文献类型：期刊文章

作　　者：魏志鹏[1] 吴春霞[1] 吕有明[1] 张振中[1] 姚斌[1] 张吉英[1] 赵东旭[1] 李炳辉[1] 申德振[1] 范希武[1]

机构地区：[1]中国科学院激发态物理重点实验室

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金重点基金(60336020);国家自然科学基金(60278031;60376009;50402016);中国科学院百人计划(60429403)资助项目

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：5

起止页码：831-833

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基础上选择具有合适带宽的MgZnO合金作为垒层,制备了MgZnO/ZnO量子阱结构。在较高的光激发密度下,观测到了发光强度随激发密度的超线性增加,并将之归因于激子-激子碰撞引起的超辐射过程。

关 键 词：MgZnO合金  RAMAN光谱 量子阱  超辐射

分 类 号：O472.3] O482.31[物理学类]