文献类型：期刊文章

作　　者：吴海平[1] 吴希俊[1] 刘金芳[1] 王幼文[2] 张国庆[3]

机构地区：[1]浙江大学材料与化学工程学院纳米科学和技术中心,杭州310027 [2]浙江大学分析测试中心,杭州310027 [3]浙江理工大学分析测试中心,杭州310018

出　　处：《复合材料学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(59971045)

年　　份：2006

卷　　号：23

期　　号：5

起止页码：24-28

语　　种：中文

收录情况：AJ、AMR、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20070310372179)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以Ti（OC4H9）4水解形成的溶胶体系为模板，以AgNO3为银纳米线的前驱体，低温下合成长径比为50～60的银纳米线，采用TEM和XRD对所制得的银纳米线进行表征。以银纳米线作为导电胶的导电填料，成功制备了一种高电导率的各向同性导电胶。导电胶的电学性能和力学性能测试表明：这种导电胶在导电填料含量为56wt％时的电导率比填充75wt％微米银粒子的导电胶高约6倍（体积电阻率为1．2×10^-4Ω·cm）。由于填料含量的降低，该导电胶的抗剪切强度（以Al为基板时的抗剪切强度为17．6MPa）相比于填充75wt％微米银粒子和75wt％纳米银粒子导电胶均有不同程度的提高。

关 键 词：各向同性 导电胶 纳米线 银粒子  

分 类 号：TB333[材料类]