文献类型：期刊文章

作　　者：池雅庆[1] 郝跃[2] 冯辉[2] 方粮[1]

机构地区：[1]国防科技大学计算机学院微电子研究所,长沙410073 [2]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国防预先研究基金;陕西省电子发展基金资助项目~~

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：10

起止页码：1818-1822

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20064910289686)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.

关 键 词：LDMOS RESURF 漏区边界曲率半径  击穿电压 导通电阻

分 类 号：TN386]