文献类型：期刊文章

作　　者：王明照[1] 于峰崎[2] 高淑琴[1]

机构地区：[1]吉林大学物理学院,吉林长春130023 [2]苏州中科集成电路设计中心,江苏苏州215021

出　　处：《传感技术学报》

年　　份：2006

卷　　号：19

期　　号：05A

起止页码：1717-1720

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：二极管连接的MOS管以恒定电流偏置时,栅源电压与温度成线性关系.其温度变化率与偏置电流和MOS管的宽长比等因素有关.对此做理论分析的基础上,用Hspice进行了仿真.当取偏置电流为60μA,MOS管的宽长比为2/2时,仿真得到的栅源电压温度变化率为2.13mV/K.基于此温度特性,提出用PMOS管作为红外探测敏感元件,利用标准CMOS工艺,结合体硅加工技术制作红外探测器的方法,并将PMOS管串联以进一步增加探测器的灵敏度.

关 键 词：红外探测器 CMOS工艺 MOSFET 温度效应

分 类 号：TN215]