文献类型：期刊文章

作　　者：邸玉贤[1] 计欣华[1] 胡明[2] 秦玉文[1] 陈金龙[1]

机构地区：[1]天津大学机械工程学院力学系,天津300072 [2]天津大学电信学院电子科学与技术系,天津300072

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10472080)资助的课题.~~

年　　份：2006

卷　　号：55

期　　号：10

起止页码：5451-5454

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20064910290061)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000241215200078)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000241215200078)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过基底曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置,它具有全场性、非接触性、高分辨率、无破坏、数据获取速度快等特点.使用该装置测量了电化学腐蚀法制作的多孔硅薄膜的残余应力,并研究了孔隙率和基底掺杂浓度对残余应力的影响,结果表明随着孔隙率的增加和硼离子掺杂浓度的提高,多孔硅表面的拉伸应力逐渐加大,由此表明多孔硅薄膜的微观结构与残余应力的大小有着密切的联系.

关 键 词：薄膜  残余应力 孔隙率 多孔硅

分 类 号：O484.2]