文献类型：期刊文章

作　　者：韩永林[1] 梁伟[1] 胡永宏[1]

机构地区：[1]长春理工大学科技开发中心,吉林长春130022

出　　处：《中国激光》

年　　份：2006

卷　　号：33

期　　号：10

起止页码：1329-1333

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20065010305076)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着激光器的发展，需要高重复率的电光调Q器件。提出了一种新型超快、高重复率的电光调Q技术，这种技术采用V型槽的金属氧化物半导体场效应晶体管（VMOSFET）器件作为调Q模块的主功率开关，运用宽范围可调的高压稳压电源和调Q触发信号整形电路，以及加压调Q和退压调Q的兼容电路。实验中得出：当调Q工作频率为10kHz时，调Q电压幅度3～5kV任意可调，电压脉冲宽度小于5ns，触发抖动时间小于1μs，且可以长期稳定工作。该调Q模块已经用于激光二极管（LD）抽运的无水冷固体Nd：YAG激光器和连续Nd=YAG激光器中。

关 键 词：应用光学 电光调Q 金属氧化物半导体场效应晶体管器件  高重复率

分 类 号：TN248.13]