期刊文章详细信息
X波段单片低噪声放大器的设计
Design of an X Band MMIC LNA
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京理工大学微波与通信工程研究中心,江苏省南京市210094 [2]信息产业部电子科学技术情报研究所,北京市100040
年 份：2006
卷 号：32
期 号：10
起止页码：24-26
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：研究了微波PHEMT(假晶型高电子迁移率晶体管)的非线性模型提取技术和CAD设计优化技术,采用3级放大的拓扑结构,设计了输入、级间和输出匹配网络以及偏置电路和拓扑结构,在尽可能小的尺寸上实现了工作频率范围为9 GHz^11 GHz、增益大于33.9 dB、噪声小于0.75 dB、输入输出驻波比小于1.3、输入输出端口均匹配到50Ω标准阻抗的单片集成电路,具有小型化、低噪声、高增益、低成本、高可靠性的特点。
关 键 词：X波段 PHEMT 微波单片集成电路
分 类 号：TN47]
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