文献类型：期刊文章

作　　者：卢红亮[1] 徐敏[1] 丁士进[1] 任杰[1] 张卫[1]

机构地区：[1]复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(60176013);上海市科委重点项目(04JC04013)

年　　份：2006

卷　　号：21

期　　号：5

起止页码：1217-1222

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20064910281674)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000240897100031)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000240897100031)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1．52)比退火前的(1．57)更接近化学计量比的Al2O3．FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1．15nm．

关 键 词：AL2O3薄膜 原子层淀积(ALD)  X射线光电子能谱(XPS)  

分 类 号：O484] TN305[物理学类]