文献类型：期刊文章

作　　者：卞铁荣[1,2] 李虹艳[1,2] 卢正欣[1,2] 高坤[1,2] 井晓天[1,2]

机构地区：[1]西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安710048 [2]西安理工大学现代分析测试中心,陕西西安710048

出　　处：《电镀与涂饰》

年　　份：2006

卷　　号：25

期　　号：9

起止页码：13-15

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49．57％Ni-5．6％Cu合金薄膜。XRD图谱表明,该薄膜为非晶态。对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0．5 h、650℃×0．5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2．7％;90 MPa、1．4％。

关 键 词：硅基片 直流磁控溅射 TiNiCu薄膜  非晶态 晶化 退火  形状记忆 恢复应力  恢复应变  

分 类 号：TG139.6[材料类]