文献类型：期刊文章

作　　者：朱慧群[1] 丁瑞钦[1] 胡怡[2]

机构地区：[1]五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东江门529020 [2]暨南大学化学系,广州510632

出　　处：《光子学报》

基　　金：广东省自然科学基金(04011770);广东省江门市科技计划基金(江财企[2003]61号)资助项目

年　　份：2006

卷　　号：35

期　　号：8

起止页码：1194-1198

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20064210187831)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响。对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析．结果表明，衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构，薄膜的晶团尺寸较大，微观表面较为粗糙，其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰，带隙光致荧光峰强明显增加，说明氢在衬底温度500℃～520℃下对薄膜有重要的钝化作用。

关 键 词：射频磁控溅射 GaAs薄膜  氢钝化  激子峰  光致荧光谱  

分 类 号：O472.3] TB383[物理学类]