文献类型：期刊文章

作　　者：张超艳[1] 刘庆纲[1] 李敏[1] 匡登峰[2] 郭维廉[3] 张世林[3] 胡小唐[1]

机构地区：[1]天津大学精密测试计量技术及仪器国家重点实验室,天津300072 [2]南开大学信息技术科学学院光学研究所,天津300071 [3]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：天津市自然科学基金(批准号:06YFJZJC01000);教育部天津大学南开大学科技合作基金资助项目~~

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：8

起止页码：1453-1457

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20064010141024)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiOx作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度对隧穿现象的影响,确定加工超高速光导开关时不引起隧穿的最窄线宽及其实验条件,通过控制空气中的相对湿度,在加工速度、氧气浓度和偏置电压不变的条件下,加工出宽度分别为15·6,34·2和46·9nm的钛氧化线,测试了不同宽度氧化线隧道结的I-V特性.结果表明,在两电极的偏压为6V时不引起隧穿的前提下,可以在超高速光导开关两电极间加工最小宽度大约为10nm的氧化钛线.

关 键 词：AFM阳极氧化 氧化钛线  隧道结 大气湿度  超高速光导开关  

分 类 号：TN253]