文献类型：期刊文章

作　　者：张材荣[1] 张碧霞[2] 陈玉红[1] 李维学[1] 许广济[3]

机构地区：[1]兰州理工大学应用物理系,兰州730050 [2]陕西铁路机械工程学院建筑工程系,渭南714000 [3]兰州理工大学有色金属新材料国家重点实验室,兰州730050

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：甘肃省自然科学基金(3ZS042-B25-023)

年　　份：2006

卷　　号：23

期　　号：4

起止页码：694-698

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、核心刊

摘　　要：用杂化密度泛函B3LYP在6-31G*的水平上研究了Si3N4团簇可能结构的平衡几何构型和电子结构,得到了24个可能的异构体.Si3N4团簇的最稳定结构是由7个Si—N键和2个N—N键形成的3个四边形构成的三维结构.用自然键轨道方法(NBO)分析了成键性质,结果表明,Si—N键中的Si、N原子的净电荷较大,说明Si—N键中Si、N原子的相互作用主要是电相互作用.最强的IR和Raman峰分别位于1033.40 cm-1,473.63 cm-1处.并且讨论了最稳定结构的极化率和超极化率.

关 键 词：团簇 结构与性质  密度泛函 氮化硅

分 类 号：O561.1] O641[物理学类]