文献类型：期刊文章

作　　者：矫淑杰[1] 吕有明[1] 申德振[1] 张振中[1] 李炳辉[1] 张吉英[1] 赵东旭[1] 姚斌[1] 范希武[1]

机构地区：[1]中国科学院激发态物理重点实验室

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学重点基金(60336020;50532050);国家"863"高技术项目;新材料领域(2001AA311120);中国科学院二期创新项目和国家自然科学基金(60429403;60506014;60376009;50402016;60501025)资助项目

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：4

起止页码：499-502

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该电致发光来自于ZnO的自由激子发射。通过Anderson模型比较了n-ZnO/i-MgO/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的能带示意图,证明了由于MgO层的插入抑制了ZnO向GaN层中的电子注入,且有利于空穴向ZnO层注入,从而实现了ZnO层中的电注入发光。

关 键 词：氧化锌  等离体辅助分子束外延  异质结 发光二极管

分 类 号：O482.31] TN383.1[物理学类]